Моя заявка (0)

BD682G,Darlington Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pins

BD682G,Darlington Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8396213067
Артикул
BD682G
Бренд
ON Semiconductor***
Mounting
Through Hole
Polarity
PNP
Packaging
Box
Pin Count
3+Tab
Цена по запросу
(от 169 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

BD682G - это PNP-транзистор Дарлингтона средней мощности, который может использоваться в качестве выxодного устройства в дополнительныx усилителяx общего назначения. - Монолитная конструкция - Дополняет BD681

Технические параметры

MountingThrough Hole
PolarityPNP
PackagingBox
Pin Count3+Tab
Вес, г0.64
No. of Pins3Pins
Package TypeTO-225
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
DC Current Gain750
Power Dissipation40(W)
Number of Elements1
RF Transistor CaseTO-225
Структураpnp
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor MountingThrough Hole
Transistor PolarityPNP
DC Collector Current4A
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Power Dissipation Pd40W
Collector Current (DC)4(A)
Collector-Base Voltage100(V)
Collector-Emitter Voltage100(V)
Operating Temperature Max150°C
Maximum Collector Cut-off Current200
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector-Emitter Saturation Voltage2.5(V)
Operating Temperature ClassificationMilitary
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4

Техническая документация