BD682G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 4А, 40Вт, TO225AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061955455
- Артикул
- BD682G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- PNP
- Packaging
- Box
- Pin Count
- 3+Tab
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА, TO-225AA; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: -100 В; Частота переxода ft:-; Рассеиваемая мощность Pd: 40 Вт; Ток коллектора постоянного тока: -4 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 750hFE; Тип корпуса транзистора: TO-225AA; Номер. количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Av-ток Ic: 4A; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено): -2,5 В; Непрерывный коллектор Максимальный ток микросxемы: 4 А; Постоянный ток микросxемы a Max:4 А; Ток микросxемы hFE:1,5А; Маркировка устройства: BD682; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Минимальное значение Hfe:750; Количество транзисторов:1; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур:-55°C до +150°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт; Тип транзистора: Darlington; Напряжение Vcbo: 100 В
Технические параметры
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | PNP |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.65 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Package Type | TO-225 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-225 |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 750 |
| Power Dissipation | 40(W) |
| Number of Elements | 1 |
| RF Transistor Case | TO-225 |
| Структура | pnp |
| DC Current Gain hFE | 750hFE |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Polarity | PNP |
| DC Collector Current | 4A |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Power Dissipation Pd | 40W |
| Collector Current (DC) | 4(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Maximum Collector Cut-off Current | 200 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5(V) |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |