BD681, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 4А,
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008506895
- Артикул
- BD681
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 2.7 mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный NPN Дарлингтон BD681 от STMicroelectronics - идеальный выбор для проектов, требующих управления высокими напряжениями. Модель обеспечивает ток коллектора до 4 А и может работать при напряжении коллектор-эмиттер до 100 В, что делает его подходящим для множества применений. Мощность устройства достигает 40 Вт, что гарантирует надежность в условиях высоких нагрузок. Монтаж типа THT позволяет легко интегрировать транзистор в печатные платы. Корпус SOT32 обеспечивает удобство использования и долговечность. Приобретая BD681, вы получаете надежный компонент от известного производителя электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 4 Напряжение коллектор-эмиттер, В 100 Мощность, Вт 40 Корпус SOT32
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 2.7 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 10.8 mm |
| Length | 7.8 mm |
| Series | Darlingtons |
| Series: | BD681 |
| Version | NPN |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-126 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.7 |
| Min DC gain | 750 mA |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | SOT-32 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to-126 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Rated current | 4 A |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | SOT-32 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | SOT-32 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Darlington Transistors |
| Collector current | 4 A |
| Power dissipation | 40 W |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Minimum DC Current Gain | 750 |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Transit frequency fTmin | 1 MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 4 A |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 750 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 750 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Collector Cut-off Current | 200 uA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 200 uA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 4 A |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 100 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |