Моя заявка (0)

BD680, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, SOT32

BD680, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, SOT32

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002634839
Артикул
BD680
Бренд
STMicroelectronics
Width
2.7mm
Brand:
STMicroelectronics
Series:
BD680
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BD680 от STMicroelectronics представляет собой высокопроизводительный компонент в корпусе TO126 для монтажа THT. Этот PNP Дарлингтон транзистор характеризуется током коллектора 4 А и напряжением коллектор-эмиттер 80 В, обеспечивая мощность до 40 Вт. Отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, включая силовую электронику, управление нагрузками и усилительные устройства. Модель BD680 обладает улучшенными характеристиками благодаря технологии Дарлингтона, позволяя достигать высоких показателей усиления тока при минимальных управляющих мощностях. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 4 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 40 Корпус TO126

Технические параметры

Width2.7mm
Brand:STMicroelectronics
Series:BD680
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г12.8
Package TypeSOT-32
Subcategory:Transistors
Корпусto-126
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single
RoHS CompliantYes
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-225-3
Transistor TypePNP
Product Category:Darlington Transistors
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Minimum DC Current Gain750
Pd - Power Dissipation:40 W
Transistor ConfigurationSingle
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Maximum DC Collector Current:4 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:750
Maximum Collector Cut-off Current0.2mA
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Maximum Collector Cut-off Current:200 uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Maximum Continuous Collector Current4 A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт14
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин750
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц10
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80

Техническая документация