BD678, Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001098002
- Артикул
- BD678
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Brand:
- STMicroelectronics
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BD678 от STMicroelectronics представляет собой высококачественный компонент, предназначенный для использования в различных электронных устройствах. Этот транзистор выполнен в корпусе TO126, обеспечивая удобство монтажа типа THT. Особенностью модели является тип PNP|Дарлингтон, что делает её идеальным выбором для усилительных и переключающих применений. С током коллектора в 4 А и напряжением коллектор-эмиттер в 60 В, а также с мощностью в 40 Вт, BD678 гарантирует высокую производительность в широком диапазоне областей применения. Воспользуйтесь преимуществами BD678 для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 4 Напряжение коллектор-эмиттер, В 60 Мощность, Вт 40 Корпус TO126
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | BD678 |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to-126 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-32 |
| Supplier Package | SOT-32 |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Standard Package Name | TO |
| Minimum DC Current Gain | 750@1.5A@3V |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 750 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 200 uA |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (uA) | 200 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 4 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 2.5@30mA@1.5A |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 60 |