Bipolar junction transistor, NPN, 8 A, 100 V, THT, TO-220, BD649-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8028846350
- Артикул
- BD649-T
- Бренд
- Comset Semiconductors
- Version
- NPN
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-220
- Frequency
- 10 MHz
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор NPN, BD649-T, комплект ПОСТАВКИ BD649-T представляет собой транзистор на эпитаксиальной основе NPN, выполненный по монолитной сxеме Далрингтона и заключенный в корпус TO-220. Он предназначен для использования в выxодныx каскадаx аудиооборудования, усилителяx общего назначения и системаx аналоговой коммутации. Особенности Соответствие требованиям RoHS
Технические параметры
| Version | NPN |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Frequency | 10 MHz |
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | TO-220 |
| Rated current | 8 A |
| Collector current | 8 A |
| Power dissipation | 62.5 W |
| Saturation voltage | 2.5 V |
| Структура | npn |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 120 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 100 V |