Моя заявка (0)

BD442G, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 4А, 36Вт, TO225

BD442G, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 4А, 36Вт, TO225

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002583071
Артикул
BD442G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.65
Длина
7.74 mm
Серия
BD442
Высота
11.04 mm
Цена по запросу
(от 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 4A 80V 36W PNP

Технические параметры

Вес, г0.65
Длина7.74 mm
СерияBD442
Высота11.04 mm
Корпусto-126
Ширина2.66 mm
УпаковкаBulk
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-225-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности36 W
Размер фабричной упаковки500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт36
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.8 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3 MHz

Техническая документация