BD437, Trans GP BJT NPN 45V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001091135
- Артикул
- BD437
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Подробности
- Type
- NPN
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор силовой биполярный TO-126 NPN 45В 4A 36 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Подробности |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Серия | BD437 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-32 |
| Корпус | to-126 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-32 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 30@10mA@5V|85@500mA@1V|40@2A@1V |
| Конфигурация | Single |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOT-32 |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 36000 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 4 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 45 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 3(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы-BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100000 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.6@0.2A@2A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 36 W |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30…130 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 130 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 45 |