BD242CG, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 40 Вт [TO-220]
![BD242CG, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 40 Вт [TO-220]](https://static.epl-electro.ru/lib/611/DOC005611181.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000038255
- Артикул
- BD242CG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Длина
- 10.53 mm
- Серия
- BD242C
- Высота
- 15.75 mm
Цена по запросу
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 3A 100V 40W PNP
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | BD242C |
| Высота | 15.75 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 115 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |