BD242CG, Trans GP BJT PNP 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001290975
- Артикул
- BD242CG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 3(MHz)
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 390 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 3(MHz) |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.5 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | BD242C |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 25 |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 40(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 3(A) |
| Minimum DC Current Gain | 25 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | -3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -90 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 115 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |