BD241CG, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002033140
- Артикул
- BD241CG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 4.83 mm
- Height
- 15.75 mm
Цена по запросу
(от 152 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 3A 100V 40W NPN
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.83 mm |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Series | BD241C |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.926 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | BD241C |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Minimum DC Current Gain | 2.5 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 90 V |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 115 V |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 90 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |