Моя заявка (0)
BD239CTU NPN Transistor, 2 A, 115 V, 3-Pin TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014506570
Артикул
BD239CTU
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
10.1 mm
Серия
BD239C
Цена по запросу
(от 304 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина10.1 mm
СерияBD239C
Package TypeTO-220
Высота9.4 mm
КорпусTO-220
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain40
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation30 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum DC Collector Current2 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage115 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности30 W
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер700 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15

Техническая документация