Моя заявка (0)
BD239C, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063212003
Артикул
BD239C
Бренд
ON Semiconductor***
Type
NPN
Mounting
Through Hole
Вес, г
2
Длина
10.1 mm
Цена по запросу
(от 144 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

TypeNPN
MountingThrough Hole
Вес, г2
Длина10.1 mm
СерияBD239C
Lead FinishTin
Высота9.4 mm
Ширина4.7 mm
УпаковкаBulk
Power Dissipation30Вт
Структураnpn
ТехнологияSi
Operating Temperature-65 to 150 °C
Вид монтажаThrough Hole
DC Current Gain hFE Min15hFE
Minimum DC Current Gain40@0.2A@4VI15@1A@4V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation2000 mW
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Continuous Collector Current2А
Maximum DC Collector Current2 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector Emitter Voltage Max100В
Maximum Collector Base Voltage115 V
DC Усиление Тока hFE15hFE
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Полярность транзистораNPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage0.7@0.2A@1A V
Pd - рассеивание мощности30 W
Размер фабричной упаковки1200
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)115 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15

Техническая документация