BD239C, NPN 100V 2A 30W TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029452783
- Артикул
- BD239C
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- BD239C
- Version
- NPN
- Assembly
- THT
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 115В, 2А, 30Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | BD239C |
| Version | NPN |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.63 |
| Min DC gain | 15 mA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Rated current | 2 A |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Base Part Number | BD239 |
| Standard Package | 50 |
| Collector current | 2 A |
| Power dissipation | 30 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Saturation voltage | 700 mV |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transit frequency fTmin | 3 MHz |
| DC Current Gain hFE Max: | 40 |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Continuous Collector Current: | 2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 200mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 40 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 300ВµA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 115 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 4V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 100 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 115 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 115 |