BD180G, 80V 30W 40@150mA,2V 1A PNP TO-225 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025034150
- Артикул
- BD180G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 3(MHz)
- Packaging
- Box
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 30W PNP
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 3(MHz) |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 7.74 mm (Max) |
| Серия | BD180 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-225 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Ширина | 2.66 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 15 |
| Frequency (Max) | 3 MHz |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| DC Current Gain (Min) | 15 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 1(A) |
| Collector-Base Voltage | 80(V) |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Maximum Operating Frequency | 3 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 1 A |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-225AA |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |