BD139G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1,5А, 12,5Вт, TO126
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061955440
- Артикул
- BD139G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 2.66 mm
- Height
- 11.04 mm
Цена по запросу
(от 99,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 2.66 mm |
| Height | 11.04 mm |
| Length | 7.74 mm |
| Series | BD139 |
| Packaging | Bulk |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.64 |
| Длина | 7.74 mm |
| Серия | BD139 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-225 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 11.04 mm |
| Корпус | to-126 |
| Ширина | 2.66 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-225-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Continuous Collector Current | 1.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |