Моя заявка (0)
BD13810STU, Транзистор: PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062205260
Артикул
BD13810STU
Бренд
ON Semiconductor***
Case
TO126ISO
Mounting
THT
Вес, г
0.87
Длина
8 mm
Цена по запросу
(от 65,72 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil

Технические параметры

CaseTO126ISO
MountingTHT
Вес, г0.87
Длина8 mm
СерияBD138
Current gain63…160
ManufacturerONSEMI
Polarisationbipolar
Высота11 mm
Корпусto-126
Ширина3.25 mm
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Collector current1.5A
Power dissipation12.5W
Type of transistorPNP
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage60V
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-126-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности12.5 W
Другие названия товара №BD13810STU_NL
Размер фабричной упаковки1920
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт8
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Статический коэффициент передачи тока h21э мин63…160
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц160
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В60
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В60

Техническая документация