BD137G, Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651364
- Артикул
- BD137G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
- Packaging
- Box
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 86,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор силовой биполярный TO-126 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.2 |
| Длина | 7.74 mm |
| Серия | BD137 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-225 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 11.04 mm |
| Корпус | TO-225AA |
| Ширина | 2.66 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 25 |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 1.25(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| DC Current Gain (Min) | 25 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (DC) | 1.5(A) |
| Collector-Base Voltage | 60(V) |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 60(V) |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 1.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |