Моя заявка (0)
BD13716STU, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673781
Артикул
BD13716STU
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
BD137
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 88,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1,5А, 1,25Вт, TO126ISO Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:BD137
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г0.85
Technology:Si
Package TypeTO-126
Subcategory:Transistors
Корпусto-126
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-126-3
Part # Aliases:BD13716STU_NL
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Minimum DC Current Gain100
Pd - Power Dissipation:12.5 W
DC Current Gain hFE Max:160
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation12.5 W
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:1.5 A
Maximum DC Collector Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:40
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1920
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт8
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц190
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В60
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В60

Техническая документация