Моя заявка (0)

BD136G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Through Hole

BD136G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034708519
Артикул
BD136G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.68
Длина
7.74 mm (Max)
Серия
BD136
Цена по запросу
(от 167 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1.5A 45V 12.5W PNP

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.68
Длина7.74 mm (Max)
СерияBD136
Package TypeTO-225
Высота11.04 mm (Max)
Ширина2.66 mm (Max)
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
УпаковкаBulk
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain40
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation12.5 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTSSOP-24
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage-45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Размер фабричной упаковки500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25

Техническая документация