Моя заявка (0)

BD13610STU, Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube

BD13610STU, Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002306438
Артикул
BD13610STU
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
8 mm
Серия
BD136
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 330 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина8 mm
СерияBD136
Package TypeTO-126
Высота11 mm
Корпусto-126
Ширина3.25 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
УпаковкаTube
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain63
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation12.5 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-126-3
Maximum DC Collector Current-1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-45 V
Maximum Collector Emitter Voltage-45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности12.5 W
Размер фабричной упаковки1920
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40

Техническая документация