Моя заявка (0)

BD13516S, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.25 W Through Hole TO-126-3

BD13516S, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.25 W Through Hole TO-126-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063658457
Артикул
BD13516S
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Длина
8 mm
Серия
BD135
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 126 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Технические параметры

Вес, г0.05
Длина8 mm
СерияBD135
Высота1.5 mm
Корпусto-126
Ширина3.25 mm
УпаковкаBulk
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-126-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности12.5 W
Размер фабричной упаковки2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40

Техническая документация