Моя заявка (0)

BD135-16, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Through Hole

BD135-16, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8631256734
Артикул
BD135-16
Бренд
STMicroelectronics
Case
SOT32
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
BD135
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 50В, 1,5А, 12Вт, SOT32 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

CaseSOT32
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
Series:BD135
MountingTHT
Frequency50MHz
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:Si
Current gain100…250
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeSOT-32
Polarisationbipolar
Subcategory:Transistors
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:SOT-32-3
Transistor TypeNPN
Collector current1.5A
Power dissipation12.5W
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Type of transistorNPN
Структураnpn
Transistor PolarityNPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Collector-emitter voltage45V
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current1.5 A
Collector- Base Voltage VCBO:45 V
Maximum DC Collector Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация