BCX71J,215, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026700657
- Артикул
- BCX71J,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Family
- Transistors-Bipolar(BJT)-Single
- Series
- Automotive, AEC-Q101
- Packaging
- Digi-Reel®
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Standard Package | 1 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Supplier Device Package | SOT-23(TO-236AB) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 933483670215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 at 10 uA, 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |