BCX6925TA,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 20 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8851789833
- Артикул
- BCX6925TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.051
- Длина
- 4.5 mm
- Серия
- BCX69
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Low Saturation
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.051 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | BCX69 |
| Package Type | SOT-89 |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 160 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 25 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 500 mA, 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at 500 mA, 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |