BCX56TA, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537700
- Артикул
- BCX56TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- BCX56
- Вид
- NPN
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BCX56TA от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой качественный компонент для монтажа на поверхность (SMD). Этот NPN транзистор способен выдерживать ток коллектора до 1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 80 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. С мощностью в 1 Вт и компактным корпусом SOT89, BCX56TA является отличным выбором для использования в усилителях, переключателях и других электронных схемах, где требуется надежность и эффективность. Уникальный код товара BCX56TA обеспечивает удобство идентификации продукта и упрощает процесс покупки. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 1 Корпус SOT89
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | BCX56 |
| Вид | NPN |
| Тип | биполярный |
| Series: | BCX56 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.09 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-89 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT89 |
| Монтаж | SMD |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
| Мощность, Вт | 1 |
| DC Current Gain HFE Max | 250 |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 |
| Ток коллектора, А | 1 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |