BCX5616TA, Транзистор биполярный,NPN, 80В, 1А, 1,3Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026856408
- Артикул
- BCX5616TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- BCX56
- Series:
- BCX56
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BCX5616TA от DIODES INCORPORATED станет надежным компонентом для вашей электронной схемы. Этот NPN-транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обладает коллекторным током 1 А, что позволяет ему управлять средними нагрузками. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 80 В, а мощность устройства достигает 1,3 Вт, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне применений. Компактный корпус SOT89 значительно экономит пространство на плате. Ищите BCX5616TA для решения ваших проектных задач. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 1.3 Корпус SOT89
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | BCX56 |
| Series: | BCX56 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.14 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| DC Current Gain HFE Max | 25 at 5 mA, 2 V |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 25 at 5 mA, 2 V |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 at 5 mA, 2 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 at 5 mA, 2 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |