BCX5610TA, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021967981
- Артикул
- BCX5610TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT89
- Mounting
- SMD
- Frequency
- 150MHz
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 210,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Технические параметры
| Case | SOT89 |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 150MHz |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 4.6 mm |
| Серия | BCX56 |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | SOT-89 |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.6 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 1A |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 63 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 80V |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |