Моя заявка (0)

BCX55TF, 100nA 60V 500mW 63@150mA,2V 1A 155MHz 500mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT

BCX55TF, 100nA 60V 500mW 63@150mA,2V 1A 155MHz 500mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015845564
Артикул
BCX55TF
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.08
Корпус
SOT-89/TO-243
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
500мВт
Цена по запросу
(от 122 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR

Технические параметры

Вес, г0.08
КорпусSOT-89/TO-243
Transistor TypeNPN
Power Dissipation500мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)500mW
DC Current Gain hFE Min63hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)155MHz
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-89-3
Continuous Collector Current1А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)63@150mA, 2V
Collector Emitter Voltage Max60В
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
DC Усиление Тока hFE63hFE
Линейка ПродукцииBCX55T
Частота Перехода ft155МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW
Другие названия товара №934661335135
Размер фабричной упаковки4000
Стиль Корпуса ТранзистораSC-62
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA, 50mA
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250 at 150 mA, 2 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц155
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63 at 5 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)155 MHz

Техническая документация