Моя заявка (0)

BCX5510TA, Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

BCX5510TA, Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001105141
Артикул
BCX5510TA
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Type
NPN
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000 МВт 4-контактный(3+вкладки) SOT-89 T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
TypeNPN
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусSOT-89/TO-243
ConfigurationSingle Dual Collector
Package Width2.5 mm
Package Length4.5 mm
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-89
Структураnpn
Operating Temperature-65℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameSOT
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)1W
Minimum DC Current Gain25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|63@150mA@2V
Maximum Base Current (A)0.1
Transition Frequency (fT)150MHz
Number of Elements per Chip1
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)63@150mA, 2V
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Maximum Base-Emitter Voltage (V)6
Maximum DC Collector Current (A)1
Maximum Collector-Base Voltage (V)60
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)60
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.5@50mA@500mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA, 50mA

Техническая документация