BCX53-10,115, Bipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025538602
- Артикул
- BCX53-10,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Width
- 2.6мм
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 1.35 Вт
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Width | 2.6мм |
| Length | 4.6мм |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 4 |
| Dimensions | 1.6 x 4.6 x 2.6mm |
| Вес, г | 0.4 |
| Длина | 4.6 mm |
| Power - Max | 1.3W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | UPAK |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.6мм |
| Корпус | SOT-89(TO-243) |
| Ширина | 2.6 mm |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | BCX53 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 145MHz |
| Minimum DC Current Gain | 63 |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1,3 Вт |
| Maximum Operating Frequency | 145 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
| Другие названия товара № | 933663060115 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 150 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |