Моя заявка (0)

BCX5216TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT89

BCX5216TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT89

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021354370
Артикул
BCX5216TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.06
Длина
4.5 mm
Серия
BCX52
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Технические параметры

Вес, г0.06
Длина4.5 mm
СерияBCX52
Высота1.5 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.5 mm
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)1W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)150MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@50mA, 500mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация