Моя заявка (0)

BCX5216TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

BCX5216TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841597
Артикул
BCX5216TA
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Длина
4.5 mm
Серия
BCX52
Цена по запросу
(от 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.05
Длина4.5 mm
СерияBCX52
Package TypeSOT-89
Высота1.5 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.5 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)1W
Minimum DC Current Gain100
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1 W
Transition Frequency (fT)150MHz
Maximum Operating Frequency150 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 2V
Maximum DC Collector Current-1 A
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-60 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Maximum Collector Emitter Voltage-60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@50mA, 500mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация