Моя заявка (0)

BCX5110TA, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 1А, 1Вт, SOT89

BCX5110TA, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 1А, 1Вт, SOT89

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033518149
Артикул
BCX5110TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.1
Длина
4.5 mm
Серия
BCX5110
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Технические параметры

Вес, г0.1
Длина4.5 mm
СерияBCX5110
Высота1.5 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.5 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.63 at 150 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63 at 150 mA, 2 V
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация