Моя заявка (0)
BCX19HZGT116, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069707713
Артикул
BCX19HZGT116
Бренд
Rohm
Вес, г
0.1
Упаковка
Reel, Cut Tape
Структура
npn
Технология
Si
Цена по запросу
(от 11,30 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы TO-236-3 (SOT-23-3) мощностью 45 В 200 МВт, 100 при 100 мА, 1 В 500 мА - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.1
УпаковкаReel, Cut Tape
Структураnpn
ТехнологияSi
Operating Temperature-
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@100mA, 1V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности425 mW
Другие названия товара №BCX19HZG
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)620mV@500mA, 50mA
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер620 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz