BCW72LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002529618
- Артикул
- BCW72LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Category
- Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 18,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Frequency | 300(MHz) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BCW72L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| DC Current Gain | 200 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Power Dissipation | 0.3(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (DC) | 0.1(A) |
| Collector-Base Voltage | 50(V) |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 45(V) |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85(Typ)@2.5mA@50mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.21 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |