Моя заявка (0)

BCW67CE6327, Транзистор: PNP, биполярный, 32В, 0,8А, 0,33Вт, SOT23

BCW67CE6327, Транзистор: PNP, биполярный, 32В, 0,8А, 0,33Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002570012
Артикул
BCW67CE6327
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
SOT23
Mounting
SMD
Frequency
200MHz
Вес, г
0.06
Цена по запросу
(от 33 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Биполярный транзистор BCW67CE6327 производства INFINEON представляет собой высококачественный компонент для монтажа типа SMD. С его помощью обеспечивается стабильная работа с током коллектора до 0,8 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, обладая мощностью 0,33 Вт. Этот PNP транзистор, заключённый в компактный корпус SOT23, идеален для широкого спектра областей применения, начиная от усиления сигнала до переключения. Используя BCW67CE6327, вы гарантированно получаете надёжность и долговечность благодаря проверенному качеству INFINEON. Артикул товара BCW67CE6327 вновь подчеркивает его уникальность и гарантирует лёгкость идентификации среди аналогов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.8 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.33 Корпус SOT23

Технические параметры

CaseSOT23
MountingSMD
Frequency200MHz
Вес, г0.06
Длина2.9 mm
СерияBCW67
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationbipolar
Высота1 mm
Корпусsot23
Ширина1.3 mm
Collector current0.8A
Power dissipation0.33W
Type of transistorPNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage32V
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокSOT-23-3
кол-во в упаковке3000
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности330 mW
Другие названия товара №BCW67CE6327HTSA1 BCW67CE6327XT SP000015037
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)2 V
Непрерывный коллекторный ток0.8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.8
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.8 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация