BCW66HQTA, SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025032242
- Артикул
- BCW66HQTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.06
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@100mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@50mA, 500mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |