BCW66GVL, Bipolar Transistors - BJT BCW66G/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006350680
- Артикул
- BCW66GVL
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.01
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Power Dissipation
- 250мВт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 12,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BCW66G/SOT23/TO-236A
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Power Dissipation | 250мВт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 160hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 800мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| DC Усиление Тока hFE | 160hFE |
| Линейка Продукции | BCW66 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 934070942235 |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 450 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |