BCW66GR, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013626280
- Артикул
- BCW66GR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Mounting
- SMD
- Frequency
- 100MHz
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 100MHz |
| Вес, г | 0.02 |
| Current gain | 160…400 |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | bipolar |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 0.8A |
| Power dissipation | 0.25W |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Pulsed collector current | 1A |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 5uA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 934070942215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 450mV@500mA, 50mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 450 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |