Моя заявка (0)
BCW65CLT1G NPN Transistor, 800 mA, 32 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023564503
Артикул
BCW65CLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
Вид
NPN
Тип
биполярный
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
ВидNPN
Типбиполярный
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23(TO-236)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain80@100uA@10V|180@10mA@1V|250@100mA@1V|100@500mA@2V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation225 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current800 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V dc
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum DC Collector Current (A)0.8
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage32 V
Maximum Collector Base Voltage (V)60
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)32
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)2@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7(Typ)@50mA@500mA|0.3(Typ)@10mA@100mA

Техническая документация