BCW65ALT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,8А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019881492
- Артикул
- BCW65ALT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BCW65AL
Цена по запросу
(от 18,01 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BCW65AL |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100, 250 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 800 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |