BCW61B,215, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024654245
- Артикул
- BCW61B,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 3 mm
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3 mm |
| Current gain | 30…310 |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Kind of package | reel, tape |
| Collector current | 0.1A |
| Power Dissipation | 250мВт |
| Type of transistor | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 32V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 32В |
| DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
| Линейка Продукции | BCW61 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BCW61B T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 at 10 uA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |