Моя заявка (0)

BCW60D,215, Транзистор: NPN; биполярный; 32В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB

BCW60D,215, Транзистор: NPN; биполярный; 32В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654953
Артикул
BCW60D,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 10,21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 32 В 100 мА 250 МГц 250 МВт для поверxностного монтажа TO-236AB

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г0.02
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberBCW60 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Frequency - Transition250MHz
Pd - Power Dissipation250mW
Minimum DC Current Gain380
Supplier Device PackageTO-236AB
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation250 mW
Maximum Operating Frequency250 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current100mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage32 V
Current - Collector Cutoff (Max)20nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage32 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage32V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce380 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)32V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация