Моя заявка (0)
Транзистор BCW60C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072299654
Артикул
BCW60C
Бренд
NXP Semiconductor
ECCN
EAR99
RoHS
Details
Brand
Nexperia
HTSUS
8541.21.0075
Цена по запросу
(от 15 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

TRANS, NPN, 32 В, 250 МГц, SOT-23-3; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:32 В; Частота переxода ft: 250 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:250 МВт; Ток коллектора постоянного тока:100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:460hFE; RF T

Технические параметры

ECCNEAR99
RoHSDetails
BrandNexperia
HTSUS8541.21.0075
Width1.4 mm
Height1 mm
Length3 mm
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
PackagingCut Tape
Pin Count3
Вес, г1.9
Длина3 mm
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Unit Weight0.000282 oz
ManufacturerNexperia
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part # AliasesBCW60C T/R
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Base Product NumberBCW60 ->
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition250MHz
Pd - Power Dissipation250 mW
DC Current Gain hFE Max40 at 10 uA at 5 V
Minimum DC Current Gain250
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT250 MHz
Maximum Power Dissipation250 mW
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Collector- Base Voltage VCBO32 V
Continuous Collector Current100 mA
Maximum DC Collector Current200 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
DC Collector/Base Gain hfe Min250
Maximum Collector Base Voltage32 V
Current - Collector Cutoff (Max)20nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage32 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max32 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce250 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)32V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №BCW60C T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)32 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.40 at 10 uA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация