BCW60C,215, Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,1А, 250мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003719579
- Артикул
- BCW60C,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.21.0075
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3 mm |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Power - Max | 250mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236AB) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part # Aliases | BCW60C T/R |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BCW60 -> |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 40 at 10 uA at 5 V |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 250 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 32 V |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 250 |
| Maximum Collector Base Voltage | 32 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 32 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BCW60C T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 at 10 uA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |