Моя заявка (0)
BCW33LT3G NPN Transistor, 100 mA, 32 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014594554
Артикул
BCW33LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
2.9 mm
Серия
BCW33L
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 32V NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина2.9 mm
СерияBCW33L
Package TypeSOT-23
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain420
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation225 mW
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage-32 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-32 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage32 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности225 mW
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)32 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420

Техническая документация