BCW33LT1G, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536293
- Артикул
- BCW33LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 1.3 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BCW33LT1G от производителя ONSEMI представляет собой высококачественный компонент для монтажа в SMD-технологии. С типом NPN и корпусом SOT23, данный транзистор обеспечивает ток коллектора до 0,1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 32 В при мощности 0,3 Вт. Эти характеристики делают BCW33LT1G идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется надежное управление электрическими сигналами. Код товара BCW33LT1G гарантирует легкость идентификации и заказа, облегчая подбор нужных компонентов для ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 32 Мощность, Вт 0.3 Корпус SOT23
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 0.94 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | BCW33L |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BCW33L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 800 |
| Minimum DC Current Gain | 420 2mA 5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 32 V |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 420 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 32 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 32 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 32 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25 0.5mA 10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |