BCW30LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 32В, 0,1А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048131983
- Артикул
- BCW30LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 215 2mA 5V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 32 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 32 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 0.5mA 10mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |