BCW30,215 PNP Transistor, -100 mA, -32 V, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014468437
- Артикул
- BCW30,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3 mm
- Package Type
- SOT-23(TO-236AB)
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 32В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 215 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 32 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -32 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 933082741215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 215 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 215 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |